SI7370DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI7370DP-T1-GE3 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $3.07 |
10+ | $2.755 |
100+ | $2.2141 |
500+ | $1.8191 |
1000+ | $1.5073 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 12A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.9W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.6A (Ta) |
Grundproduktnummer | SI7370 |
SI7370DP-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI7370DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
VISHAY PowerPAKSO-8
VISHAY QFN8
MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
VISHAY SOP
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
VISHAY QFN
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
VISHAY QFN-8
MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI7370DP-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|